型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4435DYTRPBF

RS品番:: 171-1913
メーカー型番:: SI4435DYTRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4435DYTRPBF

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RS品番:: 171-1913
メーカー型番:: SI4435DYTRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	Si4435DYPbF
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	35mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	40nC
	最大許容損失Pd	2.5W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	長さ	5mm
	幅	4 mm
	高さ	1.5mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ Si4435DYPbF
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 35mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf -1.2V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 40nC
	最大許容損失Pd 2.5W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	長さ 5mm
	幅 4 mm
	高さ 1.5mm
	自動車規格なし

未対応

Infineon SI4435DY は、 30 V シングル P チャンネル HEXFET パワー MOSFET で、 SO-8 パッケージに収容されています。International Rectifier の P チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。

P チャンネル MOSFET

表面実装

テープ及びリールで提供

鉛フリー