Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン

InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

International RectifierのPチャンネルHEXFETパワーMOSFETは、先進のプロセス技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。これにより、効率が極めて向上しており、バッテリ及び負荷管理用途に適しています。SO-8のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。こうした機能強化により、複数用いても基板面積を大幅に節約できます。パッケージは気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けに対応できます。

特長:
PチャンネルMOSFET

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。