Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4435DYTRPBF
- RS品番:
- 171-1913
- メーカー型番:
- SI4435DYTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 171-1913
- メーカー型番:
- SI4435DYTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | Si4435DYPbF | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 35mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 40nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ Si4435DYPbF | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 35mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 40nC | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
自動車規格 なし | ||
未対応
Infineon SI4435DY は、 30 V シングル P チャンネル HEXFET パワー MOSFET で、 SO-8 パッケージに収容されています。International Rectifier の P チャンネル HEXFET パワー MOSFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。
P チャンネル MOSFET
表面実装
テープ及びリールで提供
鉛フリー
関連ページ
- Infineon MOSFET 8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8
- onsemi MOSFET 8.8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC, SI4435DY
- Vishay MOSFET 8.1 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC, SI4435DDY-T1-GE3
- onsemi MOSFET 8.8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC
- onsemi MOSFET 8.8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC, FDS4435BZ
- Infineon MOSFET 8 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSO-8
- Vishay MOSFET 8.1 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージSOIC
- 4 Vishay MOSFET 8 A 8-Pin エンハンスメント型, SI9634DY-T1-GE3 パッケージSO-8