Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 350.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SiR500DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
228-2902
メーカー型番:
SiR500DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

350.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.47mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

104.1W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

120nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET N チャンネルは 30 V MOSFET です。

Vishay TrenchFET N チャンネルは 30 V MOSFET です。

100 % Rg及びUISテスト済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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