Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 67.4 A, 3.25 mΩ, 16.6 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8SH
- RS品番:
- 228-2928
- メーカー型番:
- SiSH536DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 228-2928
- メーカー型番:
- SiSH536DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 30 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 67.4 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 3.25 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 16.6 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212-8SH | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 16 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 26.5 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| 規格 / 承認 | No | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 30 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 67.4 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 3.25 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 16.6 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212-8SH | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 16 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 26.5 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ TrenchFET | ||
規格 / 承認 No | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
関連ページ
- Vishay MOSFET 30 V 3.25 mΩ 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8SH
- Vishay MOSFET -20 V 0.006 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8SH
- Vishay MOSFET 30 V 13 mΩ 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- Vishay MOSFET 30 V 0.00215 Ω 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8SH
- Vishay MOSFET 150 V 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212-8S
- Vishay MOSFET 100 V 30.4 mΩ 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- Vishay MOSFET 20 V 0.024 Ω パッケージ：PowerPAK 1212-8
- Vishay MOSFET 30 V 0.0089 Ω 8ピン, パッケージ：1212-8