Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 50 A, 7.9 mΩ, 17.2 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 110-7766
- メーカー型番:
- IPD50N04S408ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 個(1個25個入り) 小計：*
￥3,393
(税抜)
￥3,732
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 4,225 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ￥135.72 | ￥3,393 |
| 125 - 1100 | ￥121.00 | ￥3,025 |
| 1125 - 1475 | ￥106.20 | ￥2,655 |
| 1500 - 1975 | ￥90.40 | ￥2,260 |
| 2000 + | ￥75.76 | ￥1,894 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 110-7766
- メーカー型番:
- IPD50N04S408ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | OptiMOS-T2 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 46W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ OptiMOS-T2 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 46W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.2nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.22mm | ||
高さ 2.3mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 該当なし
インフィニオンOptiMOS-T2シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 50A - IPD50N04S408ATMA1
このMOSFETは、表面‑実装用途の大‑電流スイッチング向けに設計された 40V N‑チャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、車載環境のストレス要件を満たすよう設計されているため、効率的な導通と高い耐熱性が求められる電子電力段に適しています。
特長：
• 7.9mΩ のRds(on)により、伝導損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 50A により、大電流スイッチングが可能
• 標準ゲート電荷 17.2nC により、スイッチング遷移を高速化
• 最大許容電力 46W により、動作時の熱負荷に対応
• 最大ゲート耐圧 20V により、ゲート過電圧から保護
• エンハンスメント‑モードN‑チャンネルにより、ゲート‑駆動による制御が容易
• 連続ドレイン電流 50A により、大電流スイッチングが可能
• 標準ゲート電荷 17.2nC により、スイッチング遷移を高速化
• 最大許容電力 46W により、動作時の熱負荷に対応
• 最大ゲート耐圧 20V により、ゲート過電圧から保護
• エンハンスメント‑モードN‑チャンネルにより、ゲート‑駆動による制御が容易
用途
• 12V 車載配電段に適合
• 同期降圧コンバータ出力段に最適
• モータ‑駆動ハーフ‑ブリッジ回路で使用
• 大‑電流DC‑DC変換モジュールに使用可能
• 産業用制御ユニットの電源管理に適合
• 同期降圧コンバータ出力段に最適
• モータ‑駆動ハーフ‑ブリッジ回路で使用
• 大‑電流DC‑DC変換モジュールに使用可能
• 産業用制御ユニットの電源管理に適合
動作時に対応できる周囲温度範囲はどのくらいですか？
-55°C～175°C で動作し、極端な低温始動や高‑温環境に対応します。
パッケージは実装と熱経路にどのような影響を与えますか？
TO‑252表面‑実装パッケージは小型で、放熱のためにプリント基板への直接的な熱経路を備えています。
安定したスイッチングには、どのようなゲート駆動を考慮する必要がありますか？
駆動電圧はゲート‑ソース間定格の ±20V 以内に保ち、低いRds(on)を得るためにチャンネルを完全にオンできる十分な電圧を印加する必要があります。
このデバイスは連続的な高負荷下でどのように動作しますか？
最大 50A の連続ドレイン電流に対応し、最大 46W の熱を放散するため、ジャンクション温度を適切に保つにはプリント基板の熱設計が必要です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 7.9 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 60 V 9 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 7.30 mΩ, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 55 V 80 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 800 V 750 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 2 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 40 V 3.8 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-252
- Infineon MOSFET 1.7 A, パッケージ：TO-252