Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD50N04S408ATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個25個入り) 小計：*

￥2,310.00

(税抜)

￥2,541.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,250 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 100￥92.40￥2,310
125 - 1100￥82.36￥2,059
1125 - 1475￥72.32￥1,808
1500 - 1975￥61.56￥1,539
2000 +￥51.56￥1,289

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
110-7766
メーカー型番:
IPD50N04S408ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS-T2

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.2nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

46W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

高さ

2.3mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Infineon OptiMOS™ T2パワーMOSFET


Infineonの新しいOptiMOS ™ -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS™ -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS™ -T及びOptiMOS™の拡張ファミリです。

OptiMOS™製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。

Nチャンネル - 強化モード

AEC認定

MSL1、最大260 °Cピークのリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ