Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 85 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD85P04P4L06ATMA2
- RS品番:
- 229-1835
- メーカー型番:
- IPD85P04P4L06ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 229-1835
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- IPD85P04P4L06ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 85A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IPD | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 88W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 5 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.3mm | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 85A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IPD | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 88W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 5 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.3mm | ||
長さ 6.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon n チャンネルロジックレベルパワー MOSFET は、車載用途に使用されます。スイッチングと導電電力の損失を最小限に抑えて高い熱効率を実現しています。品質と信頼性に優れた堅牢なパッケージです。
RoHS 準拠で AEC 認定を受けています
動作温度は 175 ° C です
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