STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 1200 V, 60 A, 52 mΩ, 22 nC, 4ピン, パッケージ：Hip-247
- RS品番:
- 230-0094P
- メーカー型番:
- SCTWA60N120G2-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 230-0094P
- メーカー型番:
- SCTWA60N120G2-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | Hip-247 | |
| シリーズ | SCTW | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 52mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 順方向電圧 Vf | 3V | |
| 最大許容損失Pd | 388W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 15.9mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 21.1mm | |
| 幅 | 5.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 Hip-247 | ||
シリーズ SCTW | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 52mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
順方向電圧 Vf 3V | ||
最大許容損失Pd 388W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 15.9mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 21.1mm | ||
幅 5.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronics SCTWA60N は、 ST の Advanced and 革新的な第 2 世代 SiC MOSFET 技術を使用して開発されたシリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。このデバイスは、ユニット面積あたりのオン抵抗が非常に低く、非常に優れたスイッチング性能を発揮します。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度とほぼ独立しています。
非常に高速で堅牢な本質的ボディダイオードです
非常に低いゲート電荷量と入力静電容量
ソース検出ピンにより効率が向上しています