Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 58 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン
- RS品番:
- 232-6778
- メーカー型番:
- ISZ0804NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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￥203.20
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥203.20 | ￥1,016.00 |
| 150 - 1495 | ￥197.20 | ￥986.00 |
| 1500 - 1995 | ￥145.20 | ￥726.00 |
| 2000 - 3995 | ￥119.20 | ￥596.00 |
| 4000 + | ￥93.00 | ￥465.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 232-6778
- メーカー型番:
- ISZ0804NLSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon の OptiMOS PD パワー MOSFET 100 V は、 USB-PD 及びアダプタ用途を対象に設計されています。高速ランプアップと最適化されたリードタイムを実現する PQFN 3.3 x 3.3 パッケージです。OptiMOS 低電圧 MOSFET は、パワーデリバリ用の製品で、部品の少ない設計を可能にし、 BOM コストを削減します。OptiMOS PD は、小型軽量パッケージの高品質製品を取り揃えています。
ロジックレベルの可用性
優れた温度特性
アバランシェ100 %テスト済み
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受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 58 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V |
| パッケージタイプ | PQFN 3 x 3 |
| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.0115 O 、 0.0155 O |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2.3V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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