STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 18 A, 表面実装, 5 ピン, STL24N60M2
- RS品番:
- 233-3042
- メーカー型番:
- STL24N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 18 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V | |
| パッケージタイプ | PowerFLAT 8 x 8 HV | |
| シリーズ | STL24N60M2 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.186 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 18 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 600 V | ||
パッケージタイプ PowerFLAT 8 x 8 HV | ||
シリーズ STL24N60M2 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.186 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
STMicroelectronics デバイスは、 MDmesh ™ M2 テクノロジーを使用して開発された N チャンネルパワー MOSFET です。ストリップレイアウトと垂直構造の改善により、オン抵抗が低く、スイッチング特性が最適化されており、最も過酷な高効率コンバータに適しています。
超低ゲート電荷
優れた出力静電容量( COSS )プロファイル
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
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アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
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