Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 454 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSOG

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RS品番:
233-4381
メーカー型番:
IPTG007N06NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

454A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

IPTG

パッケージ型式

HSOG

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

216nC

動作温度 Max

175°C

長さ

10.1mm

高さ

2.4mm

規格 / 承認

No

8.75 mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS パワー MOSFET IPTG007N06NM5 は、ガルウィングリードを備えた改良型 TO-有 鉛パッケージに収納されています。TO-Leadless と互換性のあるフットプリントの Tolg は、 D2PAK 7 ピンよりも優れた電気的性能で、基板面積を最大 60 % 削減します。OptiMOS 5-60 V のこの新しいパッケージは、超低 RDS ( on )を実現し、高電流 300 A に対応するように最適化されていますTolg パッケージの OptiMOS は、ガルウィングリードの柔軟性を備え、 Al IMS ボードで優れたはんだ接合信頼性を実現します。その結果、ボード上の熱サイクルが 2 倍になります

高効率、低 EMI

高い性能を備えています

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