Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 143 A, 8-Pin パッケージHSOG
- RS品番:
- 259-2737
- メーカー型番:
- IPTG054N15NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | ¥435.927 | ¥784,669 |
| 3600 - 16200 | ¥433.022 | ¥779,440 |
| 18000 - 25200 | ¥430.108 | ¥774,194 |
| 27000 - 34200 | ¥427.203 | ¥768,965 |
| 36000 + | ¥424.299 | ¥763,738 |
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- RS品番:
- 259-2737
- メーカー型番:
- IPTG054N15NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 143A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | HSOG | |
| シリーズ | IPT | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 55.4mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 58nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.83V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 幅 | 8.75 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 143A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 HSOG | ||
シリーズ IPT | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 55.4mΩ | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 58nC | ||
順方向電圧 Vf 0.83V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
長さ 10.1mm | ||
幅 8.75 mm | ||
自動車規格 なし | ||
80 V及び100 VのInfineon OptiMOS 5産業用パワーMOSFETデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用途向けに設計されていますが、ソーラー、低電圧ドライブ、ラップトップアダプタなどの他の用途にも最適です。幅広いパッケージポートフォリオを備えたこのパワーMOSFETファミリは、業界最低のRDS(on)を実現しています。この業界をリードするメリット数値(FOM)の最大の要因の1つは、SuperSO8パッケージで最も低い2.7 mΩの低オンステート抵抗で、最高レベルの電力密度と効率を実現しています。
Nチャンネル、標準レベル
非常に低いオン抵抗RDS(on)
優れた耐熱性
100 %アバランシェテスト済み
鉛フリーリードめっき; RoHS準拠
IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
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