Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 114 A N, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSC074N15NS5ATMA1

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RS品番:
234-6988
メーカー型番:
BSC074N15NS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

114A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

シリーズ

BSC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.2mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

46W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

5.35mm

幅

6.1 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.2mm

自動車規格

なし

SuperSO8 パッケージの Infineon OptiMOS ™ N チャネル MOSFET は、 OptiMOS ™ 3 および 5 製品ポートフォリオを拡張し、信頼性を高め、高い電力密度を実現します。これにより、システムコストを低減し、パフォーマンスを向上させる必要があります。低逆回復電荷（ Qrr ）により、電圧オーバーシュートを大幅に低減してスナバ回路の必要性を最小限に抑え、エンジニアリングコストと労力を軽減することで、システムの信頼性が向上します。最大連続ドレイン電流は 114 A で、最大ドレインソース電圧は 150 V です。高周波スイッチング及び同期整流に最適です。

最低の RDS （ on ）により、最高の電力密度と効率が実現されます

定格動作温度が 175 ° C と高く、信頼性が向上しています

熱特性に優れた低 RthJC

逆回復電荷（ Qrr ）が低い

超低オン抵抗 RDS （ on ）

超低逆回復電荷（ Qrr ）

鉛フリーリードめっき

RoHS対応

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