Renesas Electronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-669, RJK0656DPB-00#J5

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梱包形態
RS品番:
234-7157
メーカー型番:
RJK0656DPB-00#J5
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
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ブランド

ルネサス エレクトロニクス

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-669

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

45W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Renesas Electronics N チャンネルシングルパワー MOSFET は、スイッチング及び負荷スイッチ用途に適しています。60 V の高い破壊電圧です4.5 V のゲートドライブに対応しています。

高速スイッチング

低駆動電流

高密度実装

低オン抵抗

鉛フリー

ハロゲンフリー

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