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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	44A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	BSC
	パッケージ型式	SuperSO8 5 x 6
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	14.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	1.1V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	52W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7.6nC
	動作温度 Max	150°C
	長さ	5.49mm
	幅	6.35 mm
	高さ	1.1mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 44A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ BSC
	パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 1.1V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 52W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.6nC
	動作温度 Max 150°C
	長さ 5.49mm
	幅 6.35 mm
	高さ 1.1mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - BSC0803LSATMA1

Infineon OptiMOSTM5パワートランジスタは、100 Vで動作し、ドレイン電流は4 Aです。OptiMOSTM5 Infineonのポートフォリオは、USB-PD及びアダプタ用途を対象としています。この製品は、高速なランプアップと最適化されたリードタイムを実現しています。電力供給用のOptiMOSTM低電圧MOSFETにより、部品数が少ない設計が可能になり、BOMコストを削減できます。OptiMOSTM PDは、コンパクトで軽量なパッケージに収められた高品質の製品を提供しています。

高性能SMPS 100

%アバランシェテスト済みの優れた熱抵抗Nチャンネル、ロジックレベル鉛フリーリードめっき向けに最適化;

RoHS対応、IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSC0803LSATMA1

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