Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 44 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO8 5 x 6, BSC0803LSATMA1

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梱包形態
RS品番:
235-0604
メーカー型番:
BSC0803LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

44A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

BSC

パッケージ型式

SuperSO8 5 x 6

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

52W

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.6nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

幅

6.35 mm

規格 / 承認

No

長さ

5.49mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSTM5パワートランジスタは、100 Vで動作し、ドレイン電流は4 Aです。OptiMOSTM5 Infineonのポートフォリオは、USB-PD及びアダプタ用途を対象としています。この製品は、高速なランプアップと最適化されたリードタイムを実現しています。電力供給用のOptiMOSTM低電圧MOSFETにより、部品数が少ない設計が可能になり、BOMコストを削減できます。OptiMOSTM PDは、コンパクトで軽量なパッケージに収められた高品質の製品を提供しています。

高性能SMPS 100

%アバランシェテスト済みの優れた熱抵抗Nチャンネル、ロジックレベル鉛フリーリードめっき向けに最適化;

RoHS対応、IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー

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