Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD42DP15LMATMA1
- RS品番:
- 235-4858
- メーカー型番:
- IPD42DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 235-4858
- メーカー型番:
- IPD42DP15LMATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 420mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | -43nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 420mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs -43nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.41mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS ™ P チャネル MOSFET 150V （ DPAK パッケージ）は、バッテリ管理、負荷スイッチ、逆極性保護の用途を対象とした新しいテクノロジーです。P チャンネルデバイスの主な利点は、中電力及び低電力用途における設計の複雑さの軽減です。MCU への簡単なインターフェイス、高速スイッチング、アバランシェ耐久性により、高品質の要求の厳しい用途に適しています。ワイド RDS （ on ）レンジを備えたロジックレベルで使用でき、低 Qg による低負荷時の効率が向上します。バッテリ管理、産業オートメーションに使用されています。
高 / 低スイッチング周波数に最適です
アバランシェ耐久性
業界標準のフットプリント表面実装パッケージ
堅牢で信頼性の高い性能
供給の安全性が向上します
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