Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 454 A, 0.8 mΩ, 185 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF-8
- RS品番:
- 236-1585
- メーカー型番:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 236-1585
- メーカー型番:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 454A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | IPT | |
| パッケージ型式 | HSOF-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.8mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 278W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 185nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 10.58mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 454A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ IPT | ||
パッケージ型式 HSOF-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.8mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 278W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 185nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 10.58mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.1mm | ||
高さ 2.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPTシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大連続ドレイン電流454A - IPT008N06NM5LFATMA1
このMOSFETは、表面実装電力用途向けに設計された高電流スイッチングトランジスタで、要求の厳しい回路に対応する堅牢な耐熱性と大きな電流容量を備えています。幅広い環境範囲で動作し、コンパクトなパッケージで低い導通損失と大きな電力処理を必要とするシステムに適しています。
特長：
• 最大ドレイン電圧60 Vにより、高電圧スイッチング機能を実現
• 454 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 最大0.8 mΩのRDS(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 278Wの最大消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 185 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±20 Vゲートソース定格により、幅広いゲートドライブマージンを実現
• 454 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷に対応
• 最大0.8 mΩのRDS(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 278Wの最大消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 185 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング制御を実現
• ±20 Vゲートソース定格により、幅広いゲートドライブマージンを実現
用途
• 高電流モータードライブステージに最適
• DC-DCコンバータ出力スイッチに使用可能
• サーバー電源の配電に最適
• 大電流を処理するバッテリ管理モジュールと併用
• 産業用インバータスイッチングステージに最適
• DC-DCコンバータ出力スイッチに使用可能
• サーバー電源の配電に最適
• 大電流を処理するバッテリ管理モジュールと併用
• 産業用インバータスイッチングステージに最適
過酷な環境ではどのような耐熱性が期待されますか?
定格動作温度範囲は-55°C～150°Cで、幅広い温度条件での使用が可能です。
パッケージは取り付けとレイアウトにどのような影響を与えますか?
HSOF-8表面実装パッケージにより、コンパクトなプリント基板配置と電源トレース用の低インダクタンス接続を実現します。
スイッチング時にはどのようなゲート駆動を考慮する必要がありますか？
ゲートドライバを設計して、±20 Vゲートソース制限を遵守しながら、185 nCゲートに十分な充電を供給し、必要なスイッチング速度を実現します。
設計者は高負荷シナリオでの消費電力をどのように管理すべきですか?
プリント基板の銅面積とサーマルバイアスは、278 Wの損失に対応し、ジャンクション温度を制限内に維持できるように設定されていることを確認します。
連続動作中にどのような導通性能が期待できますか?
0.8 mΩの最大ドレインソース抵抗により、低オン状態電圧降下を期待できるため、連続的な高電流条件での効率を向上させます。
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