Infineon MOSFET, Nチャンネル, 80 V, 333 A, 1.3 mΩ, 158 nC, 8ピン, パッケージ:HSOF-8

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梱包形態
RS品番:
236-1587
メーカー型番:
IPT013N08NM5LFATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

333A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

HSOF-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.3mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

158nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

278W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

150°C

幅

10.58mm

規格 / 承認

No

長さ

10.1mm

高さ

2.4mm

自動車規格

なし

Infineon IPTシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧80V、最大連続ドレイン電流333A - IPT013N08NM5LFATMA1


このMOSFETは、要求の厳しい熱環境での表面実装パワースイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。広い環境範囲で動作し、産業用途および電力変換用途向けに大幅な連続ドレイン電流および電圧能力を発揮します。

特長:


• 333Aの連続ドレイン電流により、高負荷処理を実現
• 中電圧システム向けの80Vドレインソース間定格
• 1.3mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 最大許容電力 278W により、熱設計の余裕を確保
• 158nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現

用途


• 大電流DC-DCコンバーターに最適
• モータードライブおよびトラクションインバータに最適
• サーバーの配電モジュールと併用
• 高出力バッテリ管理システムに使用可能

このデバイスを駆動するには、どのようなゲート電圧範囲が許容されていますか?


このゲートは、指定された制限を超えることなく、ソースに対して最大20Vまで駆動できます。

実装にはどのようなパッケージと実装方式を使用しますか?


プリント基板アセンブリへの表面実装用に構成されたHSOF-8パッケージで提供されます。

このデバイスは低温条件下でどのように性能を発揮しますか?


定格動作温度は-55°C以下で、低温環境での使用が可能です。

プリント基板のフットプリントプログラミングに関連する物理エンベロープ測定はどのようなものですか?


このコンポーネントの寸法は10.1mmx10.58mmで、高さは2.4mmです。

このデバイスは、自動車グレード規格に適合するように設定されていますか?


自動車グレードのコンポーネントとして分類されていません。

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