Infineon MOSFET, Nチャンネル, 120 V, 237 A, 3 mΩ, 158 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF-8
- RS品番:
- 236-3669
- メーカー型番:
- IPT030N12N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 236-3669
- メーカー型番:
- IPT030N12N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 237A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 120V | |
| パッケージ型式 | HSOF-8 | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 158nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 10.58mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 237A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 120V | ||
パッケージ型式 HSOF-8 | ||
シリーズ OptiMOS™ | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 158nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 10.58mm | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS パワー MOSFET は、バッテリ駆動の機器に最適です。補助電圧ブレークダウンマージンと低オン状態抵抗のバランスが最適です。軽電気自動車、低電圧ドライブ、及びバッテリ駆動工具で使用されます。
高電力密度、熱管理の向上を実現しています
必要な基板スペースが少なくて済みます
高いシステム効率と並列の必要性を低減します
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