Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 237 A, 表面, 8-Pin パッケージHSOF-8, IPT030N12N3GATMA1

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梱包形態
RS品番:
236-3670
メーカー型番:
IPT030N12N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

237A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

シリーズ

OptiMOS™

パッケージ型式

HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

158nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

10.58 mm

高さ

2.4mm

長さ

10.1mm

自動車規格

なし

Infineon の OptiMOS パワー MOSFET は、バッテリ駆動の機器に最適です。補助電圧ブレークダウンマージンと低オン状態抵抗のバランスが最適です。軽電気自動車、低電圧ドライブ、及びバッテリ駆動工具で使用されます。

高電力密度、熱管理の向上を実現しています

必要な基板スペースが少なくて済みます

高いシステム効率と並列の必要性を低減します

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