Vishay MOSFET, Nチャンネル, 650 V, 22 A, 0.158 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 268-8319
- メーカー型番:
- SIHP150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 268-8319
- メーカー型番:
- SIHP150N60E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 22A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | SIHP | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.158Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 22A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ SIHP | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.158Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay SIHPシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流22 A - SIHP150N60E-GE3
このNチャンネルMOSFETは、要求の厳しい電子システムでのスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧パワートランジスタです。広い温度範囲で確実に動作し、従来の基板実装に適したスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスはRoHS指令に準拠し、大きな電圧処理と中程度の電流容量を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 650Vのドレイン定格により、高電圧スイッチングでの使用が可能
• 22Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷フローをサポート
• 0.158Ω Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 標準36nCのゲート充電により、予測可能なスイッチングプロファイルを実現
• 最大179Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応
• 22Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷フローをサポート
• 0.158Ω Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 標準36nCのゲート充電により、予測可能なスイッチングプロファイルを実現
• 最大179Wの消費電力により、大きな熱負荷に対応
用途
• 高電圧SMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータインバータステージに最適
• 通信整流用電源と併用
• 太陽光発電インバータフロントエンドに使用可能
• 産業用モータインバータステージに最適
• 通信整流用電源と併用
• 太陽光発電インバータフロントエンドに使用可能
ドライブ設計時にはどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲートは、ゲート酸化ストレスを防止し、長期的な信頼性を確保するため、ソースに対して±30 Vを超えないようにします。
熱管理は実際の電力処理にどのような影響を与えますか?
179Wの消散定格には、連続負荷時に最大150°C以下のジャンクション温度を維持するために、適切なヒートシンクとサーマルインターフェースが必要です。
このデバイス周辺のシステムでは、どのような周囲温度範囲が期待できますか?
-55°C～150°Cまで動作するように設計されており、適切に取り付けられた場合、極端な寒さや高温環境での使用が可能です。
このデバイスのチャンネルモードは、回路の動作にどのように影響しますか?
エンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして、ゼロゲートバイアスでオフ状態を維持し、導通にはポジティブゲートドライブが必要で、ローサイドおよびハイサイドトポロジでの制御を簡素化します。
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