Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 52.1 A, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SiR4602LDP-T1-RE3

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥1,206.00

(税抜)

¥1,326.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5,810 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥120.60¥1,206
150 - 1390¥110.80¥1,108
1400 - 1890¥101.00¥1,010
1900 - 2390¥91.20¥912
2400 +¥80.40¥804

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
239-5385
メーカー型番:
SiR4602LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

SiR

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0088Ω

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

43W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.1nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay TrenchFET NチャンネルパワーMOSFETのドレイン電流は52.1 Aです。同期整流、一次側スイッチ、DC/DCコンバータ、モータ駆動スイッチに使用されます。

非常に低いRDS x Qg性能指数

最低のRDS x Qoss性能指数

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ