Vishay MOSFET, タイプN, タイプNチャンネル, 130 A 60 V, 表面, 表面実装 デプレッション型, 8-Pin, SIR182LDP-T1-RE3 パッケージPowerPAK SO-8

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RS品番:
239-8641
メーカー型番:
SIR182LDP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

130A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面, 表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00315Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

125°C

幅

5.15 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、60 Vで動作する第4世代パワーNチャンネルMOSFETで、電源やモータ駆動制御、同期整流に使用されます。

非常に低い抵抗

UISテスト済み

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