Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 21 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK125N60E-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
239-8638
メーカー型番:
SIHK125N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.109Ω

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

132W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流21 A - SIHK125N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子および自動車用途向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。高電圧回路を制御するデプレッションモードスイッチとして機能し、堅牢な熱性能と電気性能を必要とするシステムの表面実装組立に適しています。このデバイスは、幅広い温度範囲で動作し、車載エレクトロニクス用の自動車品質基準に適合しています。

特長:


• 650 Vのドレイン電圧により、高電圧システムのスイッチングを実現 • 21 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷処理を実現 • 0.109 Ω Rds(on)で導通損失を低減 • 132 Wの消費電力により、高い熱負荷をサポート • 54 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現 • ゲート許容差±30 Vで堅牢なゲートドライブマージンを実現

用途


• 自動車用電力変換およびインバータステージに最適 • 高電圧モータドライブフロントエンドに最適 • 産業オートメーションの高電圧スイッチングに使用 • 電気システムの電源に使用可能

信頼性を確保するために、どのような動作温度範囲を期待できますか?


このデバイスは、-55°Cから+150°Cまでの連続動作をサポートし、幅広い温度変化のある環境での使用を可能にします。

パッケージは基板の熱性能にどのように影響しますか?


表面実装PowerPAK 10 x 12パッケージは、基板への低熱抵抗経路を実現し、適切な基板銅領域にはんだ付けすると熱伝達を促進します。

スイッチングを許可するには、どのようなゲートドライブを考慮すべきですか?


標準ゲート充電は54 nC、最大ゲートソース定格は±30 Vで、ゲートドライバは十分な充電を供給し、スイッチング速度を安全に制御するための電圧制限を遵守する必要があります。

このコンポーネントには、業界標準が適用されていますか?


このデバイスはAEC-Q101要件を満たし、RoHSに準拠しているため、自動車グレードのコンポーネント選択基準に適合します。

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