Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 48 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK045N60E-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
239-8634
メーカー型番:
SIHK045N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

48A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.043Ω

チャンネルモード

デプレッション型

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

98nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

278W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流48 A - SIHK045N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電気システムでのスイッチングと電力管理用に設計された高電圧Nチャンネル半導体デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、自動車レベルの信頼性と高い連続電流処理が必要な表面実装アセンブリ向けです。

特長:


• 650 Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途を実現 • 48 Aの連続ドレイン電流により、高電流負荷をサポート • 0.043Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 98 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現 • 278 Wの最大消費電力により、大幅な熱処理を実現 • 自動車用ストレススクリーニングのニーズに対応するAEC-Q101認定

用途


• 車両のトラクションインバータおよびモータ制御ステージに最適 • 産業オートメーションの高電圧電源コンバータに最適 • 高出力電気システムのDC-DC変換に使用 • 過酷な環境でのスイッチモード電源に使用可能

どのようなゲートドライブを許容する必要がありますか?


選択されたVgsで標準的な98 nCの充電を実現するゲートドライバを設計し、スイッチング損失を制限しながら、システムのタイミングに合わせたスイッチング速度を確保します。

プリント基板アセンブリでの熱管理にはどのように取り組む必要がありますか?


PowerPAK 10 x 12表面パッケージを使用して、定義された冷却条件下で最大278 Wの電力を消費し、十分な銅面積とバイアを提供します。

安全設計に適した電圧マージンは?


最大ドレインソース定格650 V未満のシステム動作電圧を選択し、±30 Vのゲートソース制限内でゲートエクスクリエーションを制限します。

動作に環境温度制限はありますか?


このデバイスは、-55°C → +150 °Cのジャンクション温度で動作するため、システム冷却とディレーティングは高温動作ポイントを考慮する必要があります。

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