Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 19 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 10 x 12, SIHK185N60E-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,463.00

(税抜)

￥1,609.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,050 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 58￥731.50￥1,463
60 - 598￥640.50￥1,281
600 - 798￥548.50￥1,097
800 - 1598￥457.50￥915
1600 +￥366.00￥732

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
252-0268
メーカー型番:
SIHK185N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.05mΩ

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

54nC

最大許容損失Pd

132W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。

第4世代Eシリーズ技術低

メリット数値(FOM)Ron x Qg低

効果静電容量(Co(er))ス

イッチング損失と伝導損失を

軽減、アバランシェエネルギー定格(UIS)ケ

ルビン接続でゲートノイズを低減

関連ページ