Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 19 A, 0.16 Ω, 33 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

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梱包形態
RS品番:
252-0268
メーカー型番:
SIHK185N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

19A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.16Ω

チャンネルモード

デプレッション型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

114W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

5.15mm

長さ

6.15mm

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリーズEパワーMOSFET、650Vドレイン-ソース電圧、19A連続ドレイン電流 - SIHK185N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、要求の厳しい電子システムの表面実装用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。Nチャンネル消費デバイスとして動作し、幅広い環境範囲で動作するように設計されているため、高電圧での堅牢なスイッチングが必要な産業および自動車環境に適しています。

特長:


• 650 Vドレイン機能により、高電圧スイッチング用途を実現
• 19 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 0.16Ω Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 114Wの消費電力により、コンパクトなレイアウトで高出力処理が可能
• 標準33nCのゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギー予算を実現
• ±20Vゲート許容差により、制御トランジェント時のゲートの完全性を維持

用途


• 高電圧電力変換段階に最適
• 自動車グレードコンポーネントを必要とする自動車用電子制御モジュールに最適
• 産業機器のモータドライブフロントエンドスイッチングに使用
• オフラインコンバータのスイッチング電源に使用可能
• 表面実装ソリューションが要求される電源管理回路に便利

展開中にどのような極端な熱に耐えられますか?


-55°C~+150°Cまで動作し、過酷な周囲温度およびジャンクション温度に対応します。

基板アセンブリ用にどのようにパッケージされていますか?


PowerPAK 10x12表面実装パッケージで提供され、8ピンを備え、低インダクタンスの基板実装を容易にします。

自動車認定基準に適合していますか?


このデバイスはAEC-Q101車載規格に適合しており、車載用電子システムに適しています。

どのチャネルタイプと導通モードを採用していますか?


このトランジスタはNタイプチャンネルを使用し、スイッチング動作においてデプレッションモードで動作します。

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