Vishay MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 130 A, 0.00315 Ω, 56 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK SO-8
- RS品番:
- 239-8642
- メーカー型番:
- SIR182LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 239-8642
- メーカー型番:
- SIR182LDP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 130 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 0.00315 Ω | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 56 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 125 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 83 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.15 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 130 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 0.00315 Ω | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 56 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 125 °C | ||
最大許容損失(Pd) 83 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.15 mm | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 60 V. This MOSFET used for power supply, motor drive control and synchronous rectification.
Very low resistance
UIS tested
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