Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 212 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:PQFN

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RS品番:
241-9702
メーカー型番:
BSZ024N04LS6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon BSZシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流212A - BSZ024N04LS6ATMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリの高電流電力用途向けに設計されたシリコンベースのNチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、低い導通損失と堅牢なゲート処理が求められる用途向けに設計されています。

特長:


• 0.7mΩ Rds(on)により導通損失を低減し、高効率動作を実現
• 連続ドレイン電流 212A により、大電流負荷に対応
• 40Vのドレイン・ソース定格により、低電圧電力段階を実現
• 81Wの消費電力により、高負荷時の熱ストレスに対応
• 標準ゲート電荷 80nC により、スイッチング速度とゲート駆動能力のバランスを確保
• 20Vゲート-ソースリミットにより、定義されたゲート保護マージンを実現

用途


• 高い連続電流を必要とするモータードライバーステージに最適
• DC-DCコンバータのプライマリステージまたは同期ステージに最適
• 産業用ドライブシステムのパワーエレクトロニクスと併用
• バッテリ管理における高電流スイッチングに使用可能
• コンパクトなPQFNパッケージを必要とする表面実装アセンブリに最適

サーマルおよびプリント基板実装にはどのようなパッケージタイプが使用されますか?


表面実装および熱伝導に最適化されたPQFNパッケージで提供されます。

動作時に対応可能な周囲温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~175°Cの幅広い温度範囲で動作し、幅広い用途に対応します。

このデバイスは、ゲート駆動要件にどのように対応しますか?


このゲートには、80nCの標準ゲート電荷と互換性のあるドライブが必要で、20V Vgsの制限を超えてはなりません。

このデバイスは一般的な電子材料指令に準拠していますか?


特定の有害物質を制限するRoHS要件に適合しています。

このパッケージは、プリント基板レイアウトにどのくらいの電気接続を備えていますか?


このデバイスには、ルーティングおよびサーマルランド設計用の8ピン構成が付属しています。

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