Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 62 A, 13.5 mΩ, 12 nC, 8ピン, パッケージ:PQFN

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RS品番:
214-4342
メーカー型番:
BSZ096N10LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

62A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS 5

パッケージ型式

PQFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.5mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

69W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.4mm

幅

3.4mm

高さ

1.1mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオンOptiMOS 5シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 100V、連続ドレイン電流 62A - BSZ096N10LS5ATMA1


このMOSFETは、効率的な導通と小型形状が求められる表面実装電力用途向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、信頼性の高い電流処理能力と低導通損失が求められる過酷な電子回路に適しています。なお、ここでは機械的寸法は規定していません。

特長:


• 超低オン抵抗 13.5mΩ により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 62A により、高負荷スイッチングに対応
• ドレイン-ソース間定格電圧 100V により、高電圧動作が可能
• 最大許容電力 69W により、高い熱負荷に対応
• 標準ゲート電荷 12nC により、高周波での高速スイッチングが可能
• ゲート-ソース間耐電圧 20V により、ゲート駆動信号に余裕を確保

用途


• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 高い連続電流を必要とするモータードライブ段に最適
• 通信機器の高速スイッチングレギュレータに使用
• 高電圧システムのバッテリ管理に使用可能
• サーバーの配電およびデータセンターの電源に採用

動作時にどの程度の極端な温度に耐えられますか?


-55°C~150°C で機能するよう規定されており、熱的に厳しい環境で使用できます。

プリント基板の組立にはどのような実装方法とピン配置を使用しますか?


この部品は、小型の基板レベル実装向けに設計された8ピンPQFNパッケージで提供される表面実装デバイスです。

導通チャンネルのタイプは何で、回路設計にどのような影響がありますか?


Nチャンネルエンハンスメント型デバイスを採用しており、適切なゲート駆動極性が必要で、ローサイドまたは同期スイッチングトポロジに最適化されています。

順方向電圧はスイッチング性能にどのように影響しますか?


1.2V の順方向電圧はボディダイオード導通時のダイオード導通特性を示し、転流時の導通損失の計算に用いられます。

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