Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 62 A N, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 214-4342
- メーカー型番:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 10000 - 45000 | ¥113.662 | ¥568,310 |
| 50000 - 70000 | ¥111.615 | ¥558,075 |
| 75000 - 95000 | ¥109.571 | ¥547,855 |
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- RS品番:
- 214-4342
- メーカー型番:
- BSZ096N10LS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 62A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.5mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 69W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.4 mm | |
| 長さ | 3.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 62A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.5mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 69W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.4 mm | ||
長さ 3.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon の OptiMOS MOSFET は、トレンチ MOSFET の最先端の R DS ( on )と、従来型の平面 MOSFET の広い安全な動作領域を兼ね備えています。
ホットスワップ及び e ヒューズ用途に最適です
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