Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 40 A N, 表面, 8-Pin パッケージPQFN

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RS品番:
214-4340
メーカー型番:
BSZ070N08LS5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

OptiMOS 5

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.4mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

69W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

14.1nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

長さ

3.4mm

幅

3.4 mm

自動車規格

なし

OptiMOSTM 5パワーMOSFETのロジックレベルは、小型パッケージで低RDS(オン)を実現


InfineonのOptiMOSTM 5パワーMOSFETロジックレベルは、ワイヤレス充電、アダプタ、通信用途に最適です。デバイスの低ゲート充電(Q g)により、導電損失を損なうことなくスイッチング損失を削減します。改善されたメリットフィギュアにより、高いスイッチング周波数での動作が可能です。さらに、ロジックレベルドライブは、低ゲートしきい値電圧(V GS(th))により、MOSFETを5 Vでマイクロコントローラから直接駆動できます。

機能の概要


  • 低R DS(オン) 小型パッケージに収納

  • 低ゲート充電

  • 出力充電を低減

  • ロジックレベル互換性

    • 給付金


  • 高い電力密度設計

  • より高いスイッチング周波数

  • 5 V電源を使用できる場所でも部品数を減らすことができます。

  • マイクロコントローラから直接駆動(スロースイッチング)

  • システムコストの削減

    • 想定される用途:


  • ワイヤレス充電

  • アダプタ

  • 電気通信

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