Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 381 A, 0.7 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 242-0289
- メーカー型番:
- BSC010N04LS6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥164.28 | ￥821,400 |
| 10000 - 45000 | ￥160.834 | ￥804,170 |
| 50000 - 70000 | ￥158.432 | ￥792,160 |
| 75000 - 95000 | ￥156.457 | ￥782,285 |
| 100000 + | ￥154.617 | ￥773,085 |
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- RS品番:
- 242-0289
- メーカー型番:
- BSC010N04LS6ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 381A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| シリーズ | BSC0 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 381A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
シリーズ BSC0 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon BSC0シリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流381A - BSC010N04LS6ATMA1
このMOSFETは、表面実装アセンブリでの高電流、高温動作向けに設計されたパワースイッチングトランジスタです。要求の厳しい電源回路に対応するNチャンネルスイッチング機能を備え、大きな連続ドレイン電流と高い動作温度を必要とする用途向けに設計されています。
特長：
• 381 A連続ドレイン電流により、持続的な高負荷性能を実現
• 40 Vドレインソース定格により、中電圧電源スイッチングを実現
• 0.7 mΩ Rds(on)により、高電流下での導通損失を最小限に抑制
• 81Wの消費電力により、高い電力スループットをサポート
• 80 nCの標準ゲート電荷により、ドライバへのスイッチングストレスを低減
• -55°C～175°Cの定格により、幅広い温度範囲で動作可能
• 40 Vドレインソース定格により、中電圧電源スイッチングを実現
• 0.7 mΩ Rds(on)により、高電流下での導通損失を最小限に抑制
• 81Wの消費電力により、高い電力スループットをサポート
• 80 nCの標準ゲート電荷により、ドライバへのスイッチングストレスを低減
• -55°C～175°Cの定格により、幅広い温度範囲で動作可能
用途
• 電力システムの高電流DC-DCコンバータに最適
• 高電流容量を必要とするモータードライブステージに最適
• 産業機器の配電モジュールと併用
• 供給設計における同期整流に使用可能
• 過酷な温度環境での負荷スイッチングに使用
• 高電流容量を必要とするモータードライブステージに最適
• 産業機器の配電モジュールと併用
• 供給設計における同期整流に使用可能
• 過酷な温度環境での負荷スイッチングに使用
このデバイスは、どのようなパッケージと取り付けスタイルを使用しますか?
表面実装用に構成されたSuperSO8 5x6パッケージで提供されます。
ドレインとソース間で適用できる最大電圧は?
このデバイスは、指定された条件下でドレインとソース間の最大40 Vに耐えることができます。
このデバイスを駆動する際には、どのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
ゲート-ソース間電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲートの損傷を防止します。
熱範囲は過酷な環境での展開にどのように影響しますか?
このデバイスは、-55°C～175°Cまで動作できるため、シリコンジャンクション制限が重要な高温用途での使用が可能です。