Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 253 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IQE006NE2LM5CGATMA1

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梱包形態
RS品番:
242-0307
メーカー型番:
IQE006NE2LM5CGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

253A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

IQE

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.73V

動作温度 Max

175°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 5パワートランジスタは、鉛未使用リードめっきが施されたNチャネルMOSFETで、RoHSに準拠しています100 %アバランシェ試験済みです。

IEC61249-2-21準拠のハロゲン未使用

産業用途向けのJEDECに準拠

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