Infineon MOSFET, Nチャンネル, 25 V, 310 A, 0.75 mΩ, 24ピン, パッケージ：TSDSO
- RS品番:
- 260-1073
- メーカー型番:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥1,299
(税抜)
￥1,429
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,980 は 2026年10月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 118 | ￥649.50 | ￥1,299 |
| 120 - 1198 | ￥569.00 | ￥1,138 |
| 1200 - 2398 | ￥487.00 | ￥974 |
| 2400 - 4798 | ￥407.00 | ￥814 |
| 4800 + | ￥325.50 | ￥651 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 260-1073
- メーカー型番:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 310A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| シリーズ | IQE | |
| パッケージ型式 | TSDSO | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 24 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 310A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
シリーズ IQE | ||
パッケージ型式 TSDSO | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 24 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IQEシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧25V、最大連続ドレイン電流310A - IQE006NE2LM5CGSCATMA1
このMOSFETは、表面実装Nチャンネル強化トランジスタで、過酷な環境での電源スイッチング向けに設計されています。幅広い温度範囲で動作し、RoHS規制に適合しながら、高い連続電流と低い伝導損失を必要とする用途に適しています。このデバイスは、24ピンTSDSOパッケージを採用し、コンパクトな基板レベルの統合向けに設計されています。
特長および利点：
• 0.75mΩ Rds(on)により、高電流動作時の導通損失を低減
• 1V順方向電圧により、導通経路での電力損失を低減
• 310Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングの要求をサポート
• -55°C～150°Cの動作範囲により、極端な温度環境でも使用可能
• 24ピン表面実装により、高密度プリント基板の組み立てが容易
• 1V順方向電圧により、導通経路での電力損失を低減
• 310Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングの要求をサポート
• -55°C～150°Cの動作範囲により、極端な温度環境でも使用可能
• 24ピン表面実装により、高密度プリント基板の組み立てが容易
用途
• 高電流DC‐DCコンバータステージに最適
• 産業用電子機器の配電に最適
• 低損失を必要とするモーター駆動パワーステージに使用
• ソリッドステート電源スイッチングモジュールに使用可能
• コンパクトで高出力の表面実装設計に最適
• 産業用電子機器の配電に最適
• 低損失を必要とするモーター駆動パワーステージに使用
• ソリッドステート電源スイッチングモジュールに使用可能
• コンパクトで高出力の表面実装設計に最適
プリント基板実装にはどのようなパッケージを使用しますか?
表面実装アセンブリ用に構成されたTSDSOパッケージで提供されます。
チャンネルタイプはスイッチング動作にどのように影響しますか?
Nチャンネルエンハンスメントモードにより、低オン抵抗と効率的な伝導を実現します。
使用可能な温度を定義する環境制限は?
-55°C～+150°Cの幅広い温度条件で動作します。
材料に関するどのような規制制限が遵守されていますか?
このコンポーネントはRoHSに準拠しており、特定の有害物質を制限します。
どのようなドレイン・ソース電圧を超えてはいけないのですか?
最大許容ドレイン・ソース電圧は25Vです。
関連ページ
- Infineon MOSFET 25 V 0.75 mΩ パッケージ：TSDSO
- Infineon MOSFET 25 V 8ピン, パッケージ：WHSON
- Infineon MOSFET 30 V 1.2 mΩ 8ピン, パッケージ：PQFN
- Infineon MOSFET 40 V 1.35 mΩ パッケージ：WHTFN
- Infineon MOSFET 80 V 4.6 mΩ 8ピン, パッケージ：PG-TSON-8
- Infineon MOSFET 80 V 4.6 mΩ 9ピン, パッケージ：PG-WHTFN-9
- Infineon パワーMOSFET 80 V 3.15 mΩ 9ピン, パッケージ：PG-WHTFN-9
- Infineon MOSFET 80 V 5.0 mΩ パッケージ：PG-WHTFN-9