Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 273 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
242-5826
メーカー型番:
IPB60R045P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

273A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

iPB

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.7mΩ

チャンネルモード

N

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオンのSuperjunction MOSFETは、 600 V CoolMOS P6 シリーズの後継製品です。高効率化と使いやすさを両立させた設計を続けています。CoolMOS™ 第7世代プラットフォームは、クラス最高のRonxAと低いゲート電荷（QG）により、高効率を実現しています。

ゲート抵抗RG内蔵

優れた転流耐久性により、ハードとソフトスイッチング（PFCおよびLLC）に最適

スイッチング損失と伝導損失を大幅に低減

優れたESD耐性>全製品で2kV（HBM）

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