Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 180 A, 1.2 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
244-0943
メーカー型番:
IPD65R225C7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

N

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

順方向電圧 Vf

900mV

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流180A - IPD65R225C7ATMA1


このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。中電圧用途向けの堅牢なドレイン対ソース処理を実現し、広い温度範囲で動作するため、コンパクトで高出力スイッチングが必要な産業および自動車環境に適しています。

特長:


• 最大ドレインソース間電圧40Vで、中電圧回路をサポート
• 180Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 1.2mΩの低Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 81Wの最大消費電力により、持続的な負荷処理を実現
• 80nCの標準ゲート充電により、予測可能なスイッチングエネルギーを実現
• 0.9Vの順方向電圧により、負荷時の電圧降下を低減

用途


• 自動車用配電モジュールに最適
• 高電流DCモーター駆動段に最適
• 電気自動車のバッテリ管理システムに使用
• 産業用電源コンバータに使用可能
• コンパクトな表面実装型電源アセンブリに最適

どのようなゲートドライブ振幅を安全に適用できますか?


ゲートは、指定された制限内でソースに対して最大20 Vまで駆動できます。

このデバイスは、どのような動作温度範囲に対応していますか?


長時間の使用で-55°C~+150°Cの温度範囲で動作します。

基板アセンブリにはどのような取り付けスタイルがありますか?


表面実装用のTO-252パッケージで提供されます。

自動車認定基準に適合していますか?


自動車部品グレーディングに関するAEC-Q101要件に準拠しています。

製造に環境制限はありますか?


このデバイスは、有害物質を制限するRoHS指令に準拠しています。

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