4 DiodesZetex MOSFET クワッド, タイプP, タイプNチャンネル, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOT-223
- RS品番:
- 246-7025
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07T8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥163.75 | ￥163,750 |
| 2000 - 9000 | ￥159.756 | ￥159,756 |
| 10000 - 14000 | ￥157.831 | ￥157,831 |
| 15000 - 19000 | ￥155.952 | ￥155,952 |
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- RS品番:
- 246-7025
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07T8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.45Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 10.4W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.95V | |
| トランジスタ構成 | クワッド | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.45Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 10.4W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.9nC | ||
順方向電圧 Vf 0.95V | ||
トランジスタ構成 クワッド | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 4 | ||
自動車規格 なし | ||
このDiodesZetex製品は、低ゲート駆動で実現可能な低オン抵抗を特徴とする新世代の相補型MOSFET Hブリッジです。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはSM-8パッケージで提供されています。高速スイッチングと低入力静電容量を実現しています。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。
最大ドレインソース間電圧: 100 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V SOICパッケージにNチャンネル2個とPチャンネル2個を搭載 低オン抵抗を実現
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