STMicroelectronics, タイプNチャンネル, 55 A, 表面 650 V, 7-Pin エンハンスメント型, SCT018H65G3-7 パッケージH2PAK-7
- RS品番:
- 671-932
- メーカー型番:
- SCT018H65G3-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 671-932
- メーカー型番:
- SCT018H65G3-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 55A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| 最大許容損失Pd | 385W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.8mm | |
| 長さ | 15.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 55A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 79.4nC | ||
最大許容損失Pd 385W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.8mm | ||
長さ 15.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN