STMicroelectronics, Nチャンネル, 650 V, 55 A, 20 mΩ, 79.4 nC, 7ピン, パッケージ：H2PAK-7
- RS品番:
- 671-932
- メーカー型番:
- SCT018H65G3-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 671-932
- メーカー型番:
- SCT018H65G3-7
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 650 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 55 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 20 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 79.4 nC | |
| ピン数 | 7 | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 4.8 mm | |
| 長さ | 15.25 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 18 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 385 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 10.4 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 650 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 55 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 20 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 79.4 nC | ||
ピン数 7 | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 4.8 mm | ||
長さ 15.25 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 18 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 385 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 10.4 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
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