Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 30 A, 14 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ:PQFN

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RS品番:
249-6897
メーカー型番:
IAUZ30N06S5L140ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

IAUZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

最大許容損失Pd

81W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IAUZシリーズMOSFET、最大ドレイン‐ソース電圧60V、最大連続ドレイン電流30A - IAUZ30N06S5L140ATMA1


このMOSFETは、コンパクトな表面実装アセンブリの高電流スイッチング用に設計されたNチャンネル強化デバイスです。広い熱範囲で動作し、低伝導損失と大きな電力処理が求められる過酷な環境向けに設計されています。

特長および利点:


• 14mΩ Rds(on)により、伝導損失を低減し、効率的な電力供給を実現
• 81Wの消費電力により、持続的な高出力動作をサポート
• 80nCの標準ゲート充電により、適度な駆動エネルギーで制御されたスイッチングを実現
• 20Vゲート許容差により、高電圧ゲートドライブ回路での使用が可能
• PQFNパッケージにより、表面実装アセンブリの熱経路を向上

用途


• 60V自動車用配電回路に最適
• 車両の高電流DC-DCコンバータに最適
• 自動車用電子機器のモーター駆動ステージに使用
• コンパクトな取り付けを必要とするスイッチモード電源に使用可能
• 過酷な環境下での高温制御電子機器に最適

動作中にどのような温度範囲を維持できますか?


定格動作温度範囲は-55°C~175°Cです。

このパッケージは、熱管理をどのようにサポートしますか?


PQFNフォームは、プリント基板への直接熱経路を提供し、熱伝達を向上させます。

スイッチングにはどのようなゲートドライブの考慮事項が適用されますか?


指定されたゲート電圧で80nCの標準ゲート電荷を期待できるため、高速過渡時にその電荷を供給できるドライバが必要です。

取り付けにはどのような取り付け方法が用意されていますか?


プリント基板アセンブリへの表面実装設置用に設計されています。

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