2 Infineon MOSFET デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード, タイプNチャンネル, 20 A 60 V, 8-Pin N, IPG20N06S4L26ATMA1 パッケージSuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 249-6921
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 249-6921
- メーカー型番:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 20A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOSTM-T2 | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| ピン数 | 8 | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 33W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| トランジスタ構成 | デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 20A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOSTM-T2 | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
ピン数 8 | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 33W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
トランジスタ構成 デュアルNチャンネル・ロジックレベル・エンハンスメント・モード | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS パワートランジスタは、車載用途向けのNチャンネルパワー MOSFET である。動作チャンネルはNです。AEC Q101の認証を取得している。MSL1 が260℃ピークリフローまで対応する。グリーン製品（RoHS指令準拠）であり、100％アバランシェテスト済みである。
175 °C動作温度
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