Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 400 V, 10 A, 0.55 Ω, 36 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 256-7277
- メーカー型番:
- IRF740ASPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7277
- メーカー型番:
- IRF740ASPBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | IRF740AS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.55Ω | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ IRF740AS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.55Ω | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF740ASシリーズパワーMOSFET、400 Vドレインソース電圧、125 W消費電力 - IRF740ASPBF
このパワーMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。高ドレイン電圧の堅牢なスイッチングが必要な用途向けで、過酷な熱環境で幅広い温度範囲で動作します。
特長：
• 400 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 0.55Ω Rds(on)により、スイッチング段階での導通損失を低減
• 125 Wの消費電力により、大きな熱スループットを実現
• 36nC標準ゲート充電により、制御されたスイッチングトランジションを容易に実現
• 10Vゲート許容差により、一般的なドライブ電圧アーキテクチャに適合
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 0.55Ω Rds(on)により、スイッチング段階での導通損失を低減
• 125 Wの消費電力により、大きな熱スループットを実現
• 36nC標準ゲート充電により、制御されたスイッチングトランジションを容易に実現
• 10Vゲート許容差により、一般的なドライブ電圧アーキテクチャに適合
用途
• 産業用システムのスイッチング電源に最適
• 高電圧モータドライバフロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用
• 通信機器の補助電源レールに使用可能
• 汎用高電圧スイッチング回路に採用
• 高電圧モータドライバフロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用
• 通信機器の補助電源レールに使用可能
• 汎用高電圧スイッチング回路に採用
基板レイアウトを考慮して、どのようなパッケージタイプを予測する必要がありますか?
表面実装用のTO-263パッケージで提供され、プリント基板経由でヒートシンクを実現し、より大きな電流経路を実現します。
このデバイスは、動作中にどのような過酷な環境温度に耐えられますか?
このトランジスタは、-55°C～+150°Cの動作温度範囲で動作し、低温始動と高温環境の両方に対応します。
ゲートドライブはスイッチング性能にどのように影響しますか?
10Vゲートドライブで36nCの標準ゲート電荷を備えているため、スイッチング速度とゲートドライブ電流要件のバランスが取れ、トランジション損失とEMIを管理する必要があります。
このデバイスは、スイッチングにどのような導電性を使用しますか?
Nチャンネル伝導チャンネルを採用し、回路トポロジに応じたローサイドおよびハイサイド配置に適しています。
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