Vishay MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 25 A, 0.0135 Ω, 16.6 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK ChipFET

RS品番:: 256-7364
メーカー型番:: SI5442DU-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 25 A, 0.0135 Ω, 16.6 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK ChipFET

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RS品番:: 256-7364
メーカー型番:: SI5442DU-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	シリーズ	SI5442DU
	パッケージ型式	PowerPAK ChipFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0135Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs	8V
	最大許容損失Pd	31W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	16.6nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	+150°C
	高さ	850μm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 25A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	シリーズ SI5442DU
	パッケージ型式 PowerPAK ChipFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0135Ω
	最大ゲートソース電圧Vgs 8V
	最大許容損失Pd 31W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16.6nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max +150°C
	高さ 850μm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

Vishay SI5442DUシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧20 V、最大連続ドレイン電流25 A - SI5442DU-T1-GE3

このMOSFETは、コンパクトな表面実装アセンブリでの高電流電力管理用に設計されたNチャンネルスイッチングトランジスタです。DC-DCコンバータおよび同期スイッチングトポロジに適した低電圧電源デバイスとして機能し、要求の厳しい熱環境で幅広い環境範囲で動作します。

特長：

• 超低オン抵抗(0.0135Ω)により、導通損失を低減
• 高電流レールをサポートする連続ドレイン容量 25A
• ドレイン・ソースは20Vに対応し、低電圧電力段階を実現
• 最大8Vのゲート許容差により、柔軟なドライブスキームを実現
• 標準的な総ゲート電荷16.6nCで効率的なスイッチング制御を実現
• 31Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現

用途

• 同期降圧コンバータ出力に最適
• 自動車グレードの配電モジュールに最適
• 産業機器の高電流負荷スイッチングに使用
• 通信電源段階に使用可能
• コンパクトボードのポイント・オフ・ロード・レギュレーションに最適

このデバイスは、展開時にどのような熱範囲に耐えられますか?

-55°C～+150°Cで動作し、コールドスタートと高温の両方の動作条件に対応します。

順方向電圧は低電圧システムの効率にどのように影響しますか?

本質ダイオード全体で1.2Vの標準順方向電圧により、デッドタイム損失を低減し、同期動作中のコンバータ全体の効率化に貢献します。

基板組立用に、どのようなパッケージと取り付けスタイルがありますか?

このコンポーネントは、コンパクトなレイアウトと効果的な熱経路を実現するための表面実装用途向けの8ピンPowerPAK ChipFET形式で提供されます。

この製品は、材料制限指令に準拠していますか?

このコンポーネントはRoHS要件に適合しており、デバイスの構成において特定の有害物質を制限します。