Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 9.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK ChipFET, SI5419DU-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥1,453.00

(税抜)

￥1,598.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 240 は 2026年1月22日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 120￥72.65￥1,453
140 - 1380￥64.50￥1,290
1400 - 1780￥56.45￥1,129
1800 - 2380￥48.30￥966
2400 +￥40.25￥805

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
818-1312
メーカー型番:
SI5419DU-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si5419DU

パッケージ型式

PowerPAK ChipFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

順方向電圧 Vf

-0.85V

最大許容損失Pd

31W

動作温度 Max

150°C

高さ

0.85mm

幅

1.98 mm

長さ

3.08mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ