Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 6 A, 0.04 Ω, 3.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK ChipFET

RS品番:: 256-7376
メーカー型番:: SI5936DU-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 6 A, 0.04 Ω, 3.5 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK ChipFET

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RS品番:: 256-7376
メーカー型番:: SI5936DU-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	SI5936DU
	パッケージ型式	PowerPAK ChipFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.04Ω
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	3.5nC
	最大許容損失Pd	10.4W
	動作温度 Max	+150°C
	高さ	850μm
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ SI5936DU
	パッケージ型式 PowerPAK ChipFET
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.04Ω
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC
	最大許容損失Pd 10.4W
	動作温度 Max +150°C
	高さ 850μm
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - SI5936DU-T1-GE3

Vishay SI5936DUシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流6 A - SI5936DU-T1-GE3

このMOSFETは、コンパクトな電子アセンブリの電力管理用に設計された表面実装Nチャンネルスイッチングトランジスタです。幅広い環境範囲で動作し、狭いフットプリントで効率的な低電圧スイッチングと熱処理を必要とする用途向けに設計されています。

特長：

• 30V定格により、堅牢な低電圧スイッチング機能を実現
• 6Aの連続電流により、適度な電力供給をサポート
• 0.04 Ω Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 3.5 nCの標準ゲート電荷により、高速なゲートスイッチングを実現
• 10.4Wの最大損失により、大きな熱負荷に対応
• 20Vゲート許容差により、柔軟な駆動電圧を選択可能

用途

• DC-DCコンバータの出力段での使用に最適
• バッテリ管理および電源経路制御に最適
• 低電圧モーター用のモータードライバステージと併用
• 通信機器におけるロードスイッチに使用可能
• 高さに制約のあるコンパクトな電源モジュールに最適

プリント基板のレイアウトには、どのようなパッケージ形式を設定する必要がありますか?

このデバイスはPowerPAK ChipFET表面実装スタイルで提供されているため、パッドレイアウトはロープロファイルSMTフットプリントに適合し、熱伝導用のサーマルバイアスまたは銅注入を可能にする必要があります。

温度は連続動作制限にどのように影響しますか?

このコンポーネントは、-55°C～+150°Cで動作するように設定されていますが、高温ケースでの電力損失を定格範囲内に維持するためには、熱管理が必要です。

スイッチング性能に関して、どのようなゲートドライブの考慮事項がありますか?

適度なゲート充電需要を予想

ドライバ機能は、dv/dtを制御しながらスイッチング損失を低減するため、標準的な3.5 nC充電を迅速に供給する必要があります。

自動車用途に適していますか？

自動車規格に指定されていないため、自動車認定が義務付けられている場所では使用しないでください。