Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 2.1 A, 表面, 4-Pin パッケージMICRO、脚, SI8824EDB-T2-E1
- RS品番:
- 256-7399
- メーカー型番:
- SI8824EDB-T2-E1
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7399
- メーカー型番:
- SI8824EDB-T2-E1
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | MICRO、脚 | |
| シリーズ | SI8824EDB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.175Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.7nC | |
| 最大許容損失Pd | 0.9W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 5V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 高さ | 0.402mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 MICRO、脚 | ||
シリーズ SI8824EDB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.175Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.7nC | ||
最大許容損失Pd 0.9W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 5V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
高さ 0.402mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SI8824EDBシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧20 V、最大連続ドレイン電流2.1 A - SI8824EDB-T2-E1
このMOSFETは、電子制御回路およびスイッチング回路の表面実装用途向けに設計されたコンパクトなNチャンネルトランジスタです。低電圧スイッチ又はアンプとして機能し、低電流処理と低オン抵抗を必要とするシステムで、幅広い周囲温度範囲で動作し、小さなフットプリント電源コンポーネントを必要とする産業環境に適しています。
特長：
• 20 Vのドレイン電圧により、低電圧スイッチング用途を実現 • 2. 1 Aの連続ドレイン電流により、適度な負荷電流をサポート • 0.175Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減 • 2.7 nCの標準ゲート充電により、スイッチングトランジションを高速化 • 0.9 Wの消費電力により、コンパクトなレイアウトで熱負荷を管理 • 最大定格+150°Cで高温動作が可能
用途
• オートメーション機器のモータドライバゲートステージに最適 • 産業用制御パネルの負荷スイッチングに最適 • 組み込み電子アセンブリの電力管理に使用 • テスト機器の信号レベルスイッチングに使用可能
基板にはんだ付けするために、どのようなパッケージタイプが用意されていますか?
自動組立および高密度基板レイアウト用に設計されたMICRO FOOT 4ピン表面実装パッケージで提供されます。
このデバイスは、連続動作時にどのように熱的に動作しますか?
0.9 Wの消散制限と+150 °Cの最大ジャンクション定格により、定格電流でジャンクション温度を安全な範囲内に維持するための基板銅とヒートシンクを備えた熱設計を実現する必要があります。
損傷を防止するために、どのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲート-ソース間電圧は5 Vで、ゲートドライバはこの範囲内に留まる必要があり、ゲート酸化ストレスを防止する必要があります。
危険物の取り扱いに関する環境仕様は?
このデバイスは、製造および廃棄において特定の有害物質を制限するRoHS規格に適合しています。
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