Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面 パッケージTO-263, SIHB24N65E-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥991.00

(税抜)

￥1,090.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
1 - 1￥991
2 - 19￥936
20 - 29￥874
30 - 39￥820
40 +￥766

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
256-7413
メーカー型番:
SIHB24N65E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.033Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Eシリーズパワーモスフェットは、低メリット数値(FOM)Ron x Qg及び低入力静電容量(Ciss)を備えています。

スイッチング損失及び伝導損失の削減

超低ゲート充電(Qg)

アバランシェエネルギー等級(UIS)

関連ページ