Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面 パッケージTO-263, SIHB24N65E-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7413
メーカー型番:
SIHB24N65E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.033Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Eシリーズパワーモスフェットは、低メリット数値(FOM)Ron x Qg及び低入力静電容量(Ciss)を備えています。

スイッチング損失及び伝導損失の削減

超低ゲート充電(Qg)

アバランシェエネルギー等級(UIS)

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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