Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 25 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHB120N60E-T5-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,885.00

(税抜)

￥2,073.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 792 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 38￥942.50￥1,885
40 - 378￥825.00￥1,650
380 - 498￥706.50￥1,413
500 - 638￥589.50￥1,179
640 +￥471.50￥943

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
228-2845
メーカー型番:
SIHB120N60E-T5-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

E

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

179W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay E シリーズパワー MOSFET により、スイッチング損失と導電損失を低減しています。

低性能指数(FOM): Ron x Qg

低実効静電容量（ Co （ er ））

関連ページ