Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 25 A, 120 mΩ, 30 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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梱包形態
RS品番:
228-2842
メーカー型番:
SIHB120N60E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

最大許容損失Pd

179W

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、連続ドレイン電流25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


このパワーMOSFETは、表面実装アセンブリのスイッチングおよび電力変換作業向けに設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、RoHS指令に準拠しながら、大きな電圧耐性と熱性能を必要とする用途向けに設計されています。

特長:


• 650Vドレイン対ソース耐性により、高電圧スイッチングを実現
• 25 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 120 mΩ Rds(on)により、電源経路での導通損失を低減
• 179Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 30 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保
• 標準ゲート電荷 30nC により、予測可能なスイッチングエネルギーを確保

用途


• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• 通信機器のDC-DC変換に使用
• 力率補正回路に使用可能
• UPSおよびバッテリ管理スイッチングに最適

このデバイスは、動作中にどのような熱範囲に耐えられますか?


定格動作温度は-55°C~150°Cで、過酷な熱環境での使用が可能です。

このデバイスは、プリント基板組立用にどのようにパッケージされていますか?


3つの端子を備えたTO-263表面実装パッケージに収められており、効率的な基板実装と放熱を実現します。

ゲートドライブに関して、どのようなスイッチング動作が期待できますか?


最大ゲートソース電圧30V、標準ゲート電荷30nCにより、一般的なゲートドライバ回路のゲートドライブ要件は適度で予測可能です。

この部品は自動車用途に適していますか?


自動車規格に指定されていないため、自動車認証が必要な場所では選択しないでください。

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