Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 24 A, 0.145 Ω, 122 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 256-7412
- メーカー型番:
- SIHB24N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 250 - 450 | ￥724.54 | ￥36,227 |
| 500 - 1200 | ￥685.88 | ￥34,294 |
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- RS品番:
- 256-7412
- メーカー型番:
- SIHB24N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | E | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.145Ω | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 122nC | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ E | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.145Ω | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 122nC | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650V、連続ドレイン電流24A - SIHB24N65E-GE3
このパワーMOSFETは、表面実装電力変換および制御用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い温度範囲で動作し、高電圧処理、大量の連続電流、コンパクトな基板実装が必要な用途向けに設計されています。
特長：
• 650 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現
• 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷処理を実現
• Rds(on) 0.145Ω により、負荷時の伝導損失を低減
• 250Wの最大消費電力により、高出力熱性能を実現
• Vf 1.2V 前方ドロップにより、ダイオード伝導損失を最小限に抑制
• ゲート充電122nCにより、予測可能なスイッチング性能をサポート
• 24 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷処理を実現
• Rds(on) 0.145Ω により、負荷時の伝導損失を低減
• 250Wの最大消費電力により、高出力熱性能を実現
• Vf 1.2V 前方ドロップにより、ダイオード伝導損失を最小限に抑制
• ゲート充電122nCにより、予測可能なスイッチング性能をサポート
用途
• 高電圧電源およびコンバータに適合
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• 高電圧処理が必要なLEDドライバーと併用
• 力率補正フロントエンドに使用可能
• インバータおよびUPSプライマリスイッチングエレメントに最適
• 産業用モータ駆動のスイッチング段に最適
• 高電圧処理が必要なLEDドライバーと併用
• 力率補正フロントエンドに使用可能
• インバータおよびUPSプライマリスイッチングエレメントに最適
設計時にはどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか？
このデバイスは、ゲート-ソース間の最大電圧30 Vを超えてはならないため、ゲート酸化ストレスを防止します。
熱環境は連続電流性能にどのように影響しますか？
指定された連続ドレイン電流により、適切な熱管理を実現
十分なヒートシンクや基板サーマルバイアがなければ、効果的な電流容量は250Wの損失制限に達する前に低下します。
プリント基板の統合にはどのような取り付け方法が必要ですか?
表面実装用のTO-263パッケージで提供され、銅面への熱伝導を実現する基板パッドレイアウトにはんだ付けする必要があります。
このデバイスは、動作中にどのような極端な周囲温度に耐えられますか?
このデバイスの定格動作範囲は-55°C～+150°Cで、温度変動が広い環境での使用が可能です。
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