Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
256-7412
メーカー型番:
SIHB24N65E-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

E

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.145Ω

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

122nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

250W

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

+150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

VishayシリーズEパワーMOSFET、ドレインソース電圧650 V、最大連続ドレイン電流24 A - SIHB24N65E-GE3


このパワーMOSFETは、電子システムや産業システムのスイッチングおよび電力管理用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、表面実装のTO-263パッケージで提供され、高い電圧処理が必要なアセンブリへの統合に適しています。

特長：


• 最大ドレインソース電圧650 Vで高電圧スイッチングを実現
• 24 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理をサポート
• 0.145 Ω Rds(on)により、電源経路での導通損失を低減
• 250 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 122 nCの標準ゲート充電により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 30 Vゲートソース定格により、広いゲートドライブマージンを実現

用途


• 高電圧電源のSMPS一次側スイッチングに最適
• 産業用モータドライブフロントエンドスイッチに最適
• オートメーションシステムの高電圧DC-DC変換に使用
• 溶接または加熱コントローラーのパワーステージスイッチに使用可能

ヘビーデューティ動作において、どのような熱制限を考慮すべきですか?


このデバイスは、最大+150 °Cのジャンクション温度および最大-55 °Cの温度で動作する定格であるため、適切なヒートシンクまたは基板銅領域などの熱管理が必要で、高い消費電力で安全なジャンクション温度を維持するために必要です。

ゲート充電は、ドライブ回路の選択にどのように影響しますか?


指定されたゲート電圧で122 nCの標準ゲート電荷を備えているため、ドライブ回路は、必要なスイッチング速度を達成するために十分な電流を供給してシンクする必要があり、スイッチング損失とドライバ電力能力を考慮しなければなりません。

組み立ての信頼性を確保するためには、どのような取り付け要件が必要ですか?


3ピンのTO-263表面実装パッケージで提供されているため、機械的および熱的接続を確保するために、標準的なリフローはんだ付けプロセスと正しいパッド設計を使用する必要があります。

どのような環境又は規制属性が含まれていますか?


このコンポーネントは、RoHS要件に適合しているため、有害物質に関する指定された制限に適合しています。

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