Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面 パッケージTO-263
- RS品番:
- 256-7412
- メーカー型番:
- SIHB24N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7412
- メーカー型番:
- SIHB24N65E-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 24A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.033Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 24A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.033Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor Eシリーズパワーモスフェットは、低メリット数値(FOM)Ron x Qg及び低入力静電容量(Ciss)を備えています。
スイッチング損失及び伝導損失の削減
超低ゲート充電(Qg)
アバランシェエネルギー等級(UIS)
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