型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面パッケージTO-263

RS品番:: 256-7412
メーカー型番:: SIHB24N65E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 24 A, 表面パッケージTO-263

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ボリュームディスカウント対象商品

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個	単価	1チューブあたりの価格*
50 - 200	￥508.96	￥25,448
250 - 450	￥498.80	￥24,940
500 - 1200	￥472.18	￥23,609
1250 - 2450	￥458.84	￥22,942
2500 +	￥445.58	￥22,279

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RS品番:: 256-7412
メーカー型番:: SIHB24N65E-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.033Ω
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 24A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.033Ω
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - SIHB24N65E-GE3

Vishay Semiconductor Eシリーズパワーモスフェットは、低メリット数値(FOM)Ron x Qg及び低入力静電容量(Ciss)を備えています。

スイッチング損失及び伝導損失の削減

超低ゲート充電(Qg)

アバランシェエネルギー等級(UIS)

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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