Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.3 A, 表面 パッケージPowerPAK, SISS42LDN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7435
メーカー型番:
SISS42LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0149Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Nチャンネル100 V (D-S) mosfet超低RDS x Qgメリット数値(FOM)用途: 同期整流、一次サイドスイッチ、DC、DCコンバータ、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチ、バッテリ及び負荷スイッチ、産業用。

TrenchFET gen IVパワーモスフェット

非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)

最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング

100 % Rg及びUISテスト済み

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