型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.3 A, 表面パッケージPowerPAK, SISS42LDN-T1-GE3

RS品番:: 256-7435
メーカー型番:: SISS42LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.3 A, 表面パッケージPowerPAK, SISS42LDN-T1-GE3

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150 - 1420	￥224.40	￥1,122
1425 - 1895	￥192.00	￥960
1900 - 2395	￥160.60	￥803
2400 +	￥128.40	￥642

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RS品番:: 256-7435
メーカー型番:: SISS42LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	11.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PowerPAK
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.0149Ω
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 11.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PowerPAK
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0149Ω
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Vishay Semiconductor Nチャンネル100 V (D-S) mosfet超低RDS x Qgメリット数値(FOM)用途: 同期整流、一次サイドスイッチ、DC、DCコンバータ、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチ、バッテリ及び負荷スイッチ、産業用。

TrenchFET gen IVパワーモスフェット

非常に低いRDS x Qgメリット数値(FOM)

最低のRDS x Qoss FOMに対応するチューニング

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.3 A, 表面 パッケージPowerPAK, SISS42LDN-T1-GE3

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