Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 81.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISS26LDN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-5033
メーカー型番:
SISS26LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

81.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiSS26LDN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

57W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

31.5nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.78mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

幅

3.3 mm

自動車規格

なし

N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

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