Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 92.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSS22LDN-T1-GE3

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RS品番:
200-6854
メーカー型番:
SiSS22LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

92.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET Gen IV

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

65.7W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

3.3 mm

高さ

3.3mm

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 は、 N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です。

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低RDS - Qg性能指数(FOM)

最低のRDS - Qoss FOMに合わせて調整済み

100 % Rg及びUISテスト済み

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